Компания Samsung сообщила о начале массового производства своих первых чипов V-NAND пятого поколения. Впервые в отрасли в них используется интерфейс Toggle DDR 4.0.

Благодаря этому обеспечивается скорость передачи данных на уровне 1,4 Гбит/с, что на 40% превышает возможности 64-слойных чипов предыдущего поколения.

Чипы памяти Samsung V-NAND пятого поколения имеют 90-слойную структуру, а их ёмкость составляет 256 Гбит. Каждая ячейка способна хранить 3 бита данных.

Новинки отличаются повышенной энергоэффективностью благодаря снижению рабочего напряжения питания с 1,8 В (у чипов предыдущего поколения) до 1,2 В.

Также для новых чипов улучшен показатель времени отклика при записи данных – до 500 мкс. Это на 30% лучше, чем у предшественников.

Время отклика при чтении данных также снижено и теперь составляет 50 мкс.

Вместе с тем, Samsung улучшила и производственный процесс изготовления чипов V-NAND пятого поколения, благодаря чему эффективность производства повысилась более чем на 30%.

Компания Samsung намерена быстро наращивать объёмы производства чипов памяти V-NAND пятого поколения.

Эти устройства могут использоваться в широком перечне устройств, включая смартфоны, корпоративные серверы и суперкомпьютеры.

Источник: Novator

Оставить комментарий

Пожалуйста, авторизуйтесь чтобы добавить комментарий.
  Подписаться  
Уведомление о